国产一级理论免费版_亚洲成a×人片在线观看_国产成人久久综合电影_日韩区一区二区三区四

歡迎來到佛山市皓華電子有限公司官網(wǎng)!
服務熱線
0757-82120989
企業(yè)動態(tài)

【專題文件】半導體陶瓷電容原理及失效原因分析

發(fā)布時間:2018-05-26

1.表面型半導體陶瓷電容器的等效電路 

a為正常狀態(tài)下的等效電路,其中上、下兩個電容器代表上、下兩個介質(zhì)層的電容;兩個箭頭表示和N型半導瓷的接觸狀態(tài);中間部分則表示半導體瓷中尚有一定的電阻。 b和c則分別表示兩邊或一邊介質(zhì)層被損壞后的不正常情況。介質(zhì)層被損壞的程度不同則二極管的正、反電阻也不同,因此它并不意味著是一個常規(guī)的二極管。

2.表面型半導體陶瓷芯片半導化機理

主晶相為鈣鈦礦結(jié)構(gòu)(BaTiO3),在H2、N2氣氛下還原處理,其反應過程如下:  2BaTiO3+ H2---- 2BaTiO2.5+H2O+Vo(氧缺位),Ti4+----Ti3+ + e(電子電荷)。由于缺位的出現(xiàn),恰是一個2價正離子,氧缺位在整個瓷體中均勻分布。e為電子電荷,在未激發(fā)之前它是停留在氧缺位附近Ti3+上的介穩(wěn)電子,但受到電場激發(fā)之后將形成“自由”電子而參與導電。這時整個瓷片具有電子導電特性,屬于n型半導體。

3.半導體陶瓷電容在低電壓環(huán)境中出現(xiàn)燒熔失效問題探討

     ①表面介質(zhì)層:半導體瓷介電容芯片起絕緣作用的介質(zhì)層很薄(約20微米),芯片生產(chǎn)、運輸及后工序裝配過程中容易損壞介質(zhì)層,造成絕緣電阻降低。 
     ②在低的直流電場長時間作用下,半導層中氧缺位向負極板旁移動積累大量正電荷,并將和負極板間形成較高的電場強度,而電子向正極移動在正極累積大量負電荷,和正極形成較高的電場強度。當電場強度達到一定值時,它迫使介質(zhì)層會向極板發(fā)射電子,而構(gòu)成傳導電流。
      如果介質(zhì)層絕緣電阻低,介質(zhì)層承受不了高的場強,電容性能進一步劣化,絕緣更低直至短路,在這個過程中產(chǎn)生大量熱能而使產(chǎn)品本體出現(xiàn)燒熔的現(xiàn)象。




    



下一篇